Effects of precursors' purity on graphene quality : synthesis and thermoelectric effect
A chemical vapor deposition method has been proven to produce large scale monolayer graphene. However, it is often reported that such graphene contains a varying amount of defects. In this work, methane precursors of different purities [99.99% (4-9G), 99.90% (3-9G), and 98.90% (2-9G)] were used. It...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Shiau, Li Lynn, Goh, Simon Chun Kiat, Wang, Xingli, Zhu, MinMin, Sahoo, Mamina, Tan, Chuan Seng, Lai, Chao-Sung, Liu, Zheng, Tay, Beng Kang |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2020
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/142971 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Trimethylamine borane: a new single-source precursor for monolayer h-BN single crystals and h-BCN thin films
بواسطة: Tay, Roland Yingjie, وآخرون
منشور في: (2018) -
Comparison between chemical vapor deposited and physical vapor deposited WSi2 metal gate for InGaAs n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
بواسطة: Ong, B. S., وآخرون
منشور في: (2017) -
Structural imperfection distributions and alpha particle detection properties of CVD diamond film
بواسطة: Wang, S.G., وآخرون
منشور في: (2014) -
Template carbon for H2 storage
بواسطة: Teo, Wei Suong
منشور في: (2013) -
Fabrication of polypyrrole (p-Tolouenesulphonate doped)/metal Schottky contacts using vapor deposition
بواسطة: Roque, Mabelle, وآخرون
منشور في: (1997)