High oscillator strength interlayer excitons in two-dimensional heterostructures for mid-infrared photodetection

The development of infrared photodetectors is mainly limited by the choice of available materials and the intricate crystal growth process. Moreover, thermally activated carriers in traditional III-V and II-VI semiconductors enforce low operating temperatures in the infrared photodetectors. Here we...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Lukman, Steven, Ding, Lu, Xu, Lei, Tao, Ye, Riis-Jensen, Anders C., Zhang, Gang, Wu, Steve Qing Yang, Yang, Ming, Luo, Sheng, Hsu, Chuanghan, Yao, Liangzi, Liang, Gengchiau, Lin, Hsin, Zhang, Yong-Wei, Thygesen, Kristian S., Wang, Qi Jie, Feng, Yuanping, Teng, Jinghua
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2020
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/144025
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English