Study of the leakage behavior of PZT thin film

This Final Year Project discusses primarily about the ferroelectric material lead zirconate titanate. Its unique spontaneous polarization and dielectric properties make it usual for modern storage devices such as NvFRAM and SWNT FET. The project investigates leakage current of the PZT thin film, and...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Hoon, Xiao Ping.
مؤلفون آخرون: Wang Junling
التنسيق: Final Year Project
اللغة:English
منشور في: 2009
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://hdl.handle.net/10356/15140
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English