Band structure engineering of interfacial semiconductors based on atomically thin lead iodide crystals
To explore new constituents in two-dimensional (2D) materials and to combine their best in van der Waals heterostructures is in great demand as being a unique platform to discover new physical phenomena and to design novel functionalities in interface-based devices. Herein, PbI2 crystals as thin as...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Sun, Yan, Zhou, Zishu, Huang, Zhen, Wu, Jiangbin, Zhou, Liujiang, Cheng, Yang, Liu, Jinqiu, Zhu, Chao, Yu, Maotao, Yu, Peng, Zhu, Wei, Liu, Yue, Zhou, Jian, Liu, Bowen, Xie, Hongguang, Cao, Yi, Li, Hai, Wang, Xinran, Liu, Kaihui, Wang, Xiaoyong, Wang, Jianpu, Wang, Lin, Huang, Wei |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Materials Science and Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2021
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/151440 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Programmable interfacial band configuration in WS2/Bi2O2Se heterojunctions
بواسطة: Zhang, Hanwen, وآخرون
منشور في: (2024) -
Interface studies of rare earth oxides on silicon and germanium substrates
بواسطة: LIU ZHIQIANG
منشور في: (2012) -
Metal–Semiconductor Phase-Transition in WSe2(1-x)Te2x Monolayer
بواسطة: Yu, Peng, وآخرون
منشور في: (2017) -
Integration of high-K oxides with wide band-gap semiconductors
بواسطة: CHEN QIAN
منشور في: (2011) -
Band engineering in the high-k dielectrics gate stacks
بواسطة: Wang, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)