Weak distance dependence of hot-electron-transfer rates at the interface between monolayer MoS₂ and gold
Electron transport across the transition-metal dichalcogenide (TMD)/metal interface plays an important role in determining the performance of TMD-based optoelectronic devices. However, the robustness of this process against structural heterogeneities remains unexplored, to the best of our knowledge....
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , , , , , , |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2022
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/155540 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |