Design and development of gate driver for short circuit fault detection in wide bandgap (WBG) devices
In power converters, short-circuit faults are the most common cause of failure. Short-Circuit (SC) detection and protection methods have been developed for silicon (Si) devices, such as Si Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) or Si Metal Oxide Field Effect Transistors (MOSFET). The emergen...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Final Year Project |
اللغة: | English |
منشور في: |
Nanyang Technological University
2022
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/158097 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|