Design and development of gate driver for short circuit fault detection in wide bandgap (WBG) devices

In power converters, short-circuit faults are the most common cause of failure. Short-Circuit (SC) detection and protection methods have been developed for silicon (Si) devices, such as Si Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) or Si Metal Oxide Field Effect Transistors (MOSFET). The emergen...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Goh, Sheue Ling
مؤلفون آخرون: Wong Kin Shun, Terence
التنسيق: Final Year Project
اللغة:English
منشور في: Nanyang Technological University 2022
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/158097
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!