Spin reflection-induced field-free magnetization switching in perpendicularly magnetized Mgo/Pt/Co heterostructures

Field-free magnetization switching is critical towards practical, integrated spin-orbit torque (SOT)-driven magnetic random-access memory with perpendicular magnetic anisotropy. Our work proposes a technique to modulate the spin reflection and spin density of states within a heavy-metal Pt through i...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Jin, Tianli, Lim, Gerard Joseph, Poh, Han Yin, Wu, Shuo, Tan, Funan, Lew, Wen Siang
مؤلفون آخرون: School of Physical and Mathematical Sciences
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2022
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/162308
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!