Flexible gallium nitride devices for various applications in internet of things
Several studies describing the formation and characterization of GaN films for flexible optoelectronic devices have been published. However, the fabrication method and process are not yet illustrated. We describe the steps required to fabricate an MSM PD from a bare substrate, as well as the v...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Final Year Project |
اللغة: | English |
منشور في: |
Nanyang Technological University
2023
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/167211 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |