Flexible gallium nitride devices for various applications in internet of things

Several studies describing the formation and characterization of GaN films for flexible optoelectronic devices have been published. However, the fabrication method and process are not yet illustrated. We describe the steps required to fabricate an MSM PD from a bare substrate, as well as the v...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Ho, Leonard Zhan Lin
مؤلفون آخرون: Kim Munho
التنسيق: Final Year Project
اللغة:English
منشور في: Nanyang Technological University 2023
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/167211
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English