Preparation of 2D dielectric F-Mica and its application in field-effect transistors
With the burgeoning parasitic effects that comes with scaling silicon-based transistors to their physical limit, silicon designers have resorted to multiple gate technologies such as gate-all-around (GAA) technology to reduce transistor gate pitch in a bid to further increase transistor density....
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Final Year Project |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Nanyang Technological University
2024
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/176434 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|