Gallium-V antireflective nanostructures by metal-assisted chemical etching for photodetector application
With the ability to convert light signal into electrical signal, photodetectors (PDs) have been playing a crucial role in a variety of applications like imaging, environmental monitoring and military. Group III-V compound semiconductors have been drawing intensive and extensive research interest in...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Thesis-Doctor of Philosophy |
اللغة: | English |
منشور في: |
Nanyang Technological University
2024
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/177821 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
كن أول من يترك تعليقا!