Gallium-V antireflective nanostructures by metal-assisted chemical etching for photodetector application

With the ability to convert light signal into electrical signal, photodetectors (PDs) have been playing a crucial role in a variety of applications like imaging, environmental monitoring and military. Group III-V compound semiconductors have been drawing intensive and extensive research interest in...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Liao, Yikai
مؤلفون آخرون: Kim Munho
التنسيق: Thesis-Doctor of Philosophy
اللغة:English
منشور في: Nanyang Technological University 2024
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/177821
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English