GaN HEMTs device modeling in high-power and high-frequency applications
Wide Band Gap semiconductor devices are widely used in the high-power and high-frequency applications. Power GaN HEMTs attract the attentions of many power device and circuit designers to achieve better chip performance. However, the investigation and improvement of GaN HEMTs are time-consuming and...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Thesis-Master by Coursework |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Nanyang Technological University
2025
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/182475 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|