Study of dilute nitride based structures for infrared photodetection
Dilute nitride III-V compound semiconductor materials have attracted considerable interests in recent years owing to the unique nitrogen-driving physics that are attributed to the highly localized nature of perturbations induced by nitrogen (N) band. Most research activities were about interband tra...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
اللغة: | English |
منشور في: |
2010
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/20825 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|