Study of dilute nitride based structures for infrared photodetection

Dilute nitride III-V compound semiconductor materials have attracted considerable interests in recent years owing to the unique nitrogen-driving physics that are attributed to the highly localized nature of perturbations induced by nitrogen (N) band. Most research activities were about interband tra...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Liu, Wei
مؤلفون آخرون: Zhang Dao Hua
التنسيق: Theses and Dissertations
اللغة:English
منشور في: 2010
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/20825
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!