Characterisation of ion implantation for sub-0.25 micron device manufacturing

Damage generated by ion implantation have a strong influence on the performance of the silicon substrate and photoresist. This damage was characterised. For photoresist, the damage results in extensive bond breaking of the polymer chain and subsequent release of H2 gas and some volatile hydrogen fra...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Ong, Kok Keng.
مؤلفون آخرون: Liang, Meng Heng
التنسيق: Theses and Dissertations
منشور في: 2008
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://hdl.handle.net/10356/2415
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!