Predictive technology modeling for deep-submicron MOSFET design

The predictive technology modeling using numerical and compact model for deep-submicron MOSFET is explored in this thesis. The devices are designed for a broad range of nMOSFETs with different pile-up/different LDD extension under gate structures. The investigations inludes numerical modeling for th...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Wang, Yuwen.
مؤلفون آخرون: Zhou, Xing
التنسيق: Theses and Dissertations
منشور في: 2008
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://hdl.handle.net/10356/3709
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!