Predictive technology modeling for deep-submicron MOSFET design
The predictive technology modeling using numerical and compact model for deep-submicron MOSFET is explored in this thesis. The devices are designed for a broad range of nMOSFETs with different pile-up/different LDD extension under gate structures. The investigations inludes numerical modeling for th...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
منشور في: |
2008
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/3709 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|