Characterization of quantum dot lasers with post-growth thermal annealing

The goal of this research work is to characterize and to suggest a method to improve the ten-layer InAs/InGaAs quantum dot (QD) laser performance by using post-growth thermal annealing. The approach of post-growth annealing is initially performed on the passive dots-in-a-well structure in this the...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Cao, Qi
مؤلفون آخرون: Yoon Soon Fatt
التنسيق: Theses and Dissertations
اللغة:English
منشور في: 2012
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/50742
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!