Design and fabrication of ultraviolet metal-oxide light-emitting devices
Zinc Oxide (ZnO) has a wide bandgap energy (~3.37 eV) and high exciton binding enegy (~ 60 meV) which is more than two times larger than that of Gallium Nitride (GaN). Therefore, ZnO has been recognized as a promising candidate of ultraviolet (UV) optoelectronic devices operating at room temperature...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/53756 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |