اكتمل التصدير — 

Design and fabrication of ultraviolet metal-oxide light-emitting devices

Zinc Oxide (ZnO) has a wide bandgap energy (~3.37 eV) and high exciton binding enegy (~ 60 meV) which is more than two times larger than that of Gallium Nitride (GaN). Therefore, ZnO has been recognized as a promising candidate of ultraviolet (UV) optoelectronic devices operating at room temperature...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Liang, Houkun
مؤلفون آخرون: Chen Tupei
التنسيق: Theses and Dissertations
اللغة:English
منشور في: 2013
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/53756
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English