Finite element analysis of temperature dependence of the piezoresistance of silicon
There is a widespread demand for high-temperature pressure sensors at temperatures above 200 °C and with high-frequency responses. PZT based devices owing to its excellent electrical and mechanical properties at rash environments, is a great candidate for use as an electromechanical sensor for high-...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Final Year Project |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2013
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/54158 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|