GaN based layer structures for sensor application
In recent years, research on Gallium nitride material is popular among the semiconductor researchers because of its superior physical properties compared to silicon and other semiconductors. GaN has high band gap, high breakdown field strength, high saturation velocity, high chemical and high radiat...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Final Year Project |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/68175 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|