Coding and signal processing for NAND flash memory
NAND flash memory is a ubiquitous storage medium which has revolutionized the non-volatile memory industry by offering large storage capacity, high data throughput, fast read-response time and low power consumption. This has become possible mainly because of the advanced manufacturing processes, whi...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Chaudhry, Adnan Aslam |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Guan Yong Liang |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
اللغة: | English |
منشور في: |
2017
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/72310 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Read and Write Voltage Signal Optimization for Multi-Level-Cell (MLC) NAND Flash Memory
بواسطة: Aslam, Chaudhry Adnan, وآخرون
منشور في: (2016) -
Extending the lifetime of NAND flash memory by salvaging bad blocks
بواسطة: Wang, C., وآخرون
منشور في: (2013) -
Future oxide-based resistive flash memories
بواسطة: Wu, Wenze.
منشور في: (2013) -
Perspective of flash memory realized on vertical Si nanowires
بواسطة: Yu, Hongyu, وآخرون
منشور في: (2013) -
Sub-22nm node SONOS flash memory
بواسطة: Tan, Chee Khing.
منشور في: (2012)