Multi-valued logic synthesis for Resistive Random Access Memory (RERAM) based in-memory computing
In-memory computing is a growing field of research which involves storing and processing of data at the memory. Resistive random access memory devices (RERAM) are among the class of memories which enable in-memory computing. RERAM devices are known to implement the material implication operation....
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
اللغة: | English |
منشور في: |
2018
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/76071 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |