Design of a 4-level active photonics phase change switch using VO 2 and Ge 2 Sb 2 Te 5
The objective of this work is to design and demonstrate multilevel optical switches by combining different phase change materials. Ge2Sb2Te5 and VO2 nanolayer structures were designed to maximize the optical contrast between four different reflective states. These different optical states arise due...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Meng, Yun, Behera, Jitendra K., Ke, Yujie, Chew, Litian, Wang, Yang, Long, Yi, Simpson, Robert E. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Materials Science & Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2019
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/83005 http://hdl.handle.net/10220/47546 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
A four-state programmable mid-infrared band-stop filter exploiting a Ge₂Sb₂Te₅ film and VO₂ nanoparticles
بواسطة: Meng, Yun, وآخرون
منشور في: (2021) -
2 × 3 photonic switch in SiGe for 1.55 μm operation
بواسطة: Chen, Z., وآخرون
منشور في: (2014) -
Non-volatile compact optical phase shifter based on Ge₂Sb₂Te₅ operating at 2.3 μm
بواسطة: Miyatake, Yuto, وآخرون
منشور في: (2023) -
2 × 2 Optical waveguide switch with bow-tie electrode based on carrier-injection total internal reflection in SiGe alloy
بواسطة: Li, B., وآخرون
منشور في: (2014) -
Large-mode-area multicore Yb-doped fiber for an efficient high power 976 nm laser
بواسطة: Li, Huizi, وآخرون
منشور في: (2022)