Towards a fully functional integrated photonic-electronic platform via a single SiGe growth step
Silicon-germanium (Si1-xGex) has become a material of great interest to the photonics and electronics industries due to its numerous interesting properties including higher carrier mobilities than Si, a tuneable lattice constant, and a tuneable bandgap. In previous work, we have demonstrated the abi...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2016
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/83420 http://hdl.handle.net/10220/41429 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|