On the hole accelerator for III-nitride light-emitting diodes
In this work, we systematically conduct parametric studies revealing the sensitivity of the hole injection on the hole accelerator (a hole accelerator is made of the polarization mismatched p-electron blocking layer (EBL)/p-GaN/p-AlxGa1−xN heterojunction) with different designs, including the AlN co...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2016
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/84934 http://hdl.handle.net/10220/40836 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|