On the hole accelerator for III-nitride light-emitting diodes

In this work, we systematically conduct parametric studies revealing the sensitivity of the hole injection on the hole accelerator (a hole accelerator is made of the polarization mismatched p-electron blocking layer (EBL)/p-GaN/p-AlxGa1−xN heterojunction) with different designs, including the AlN co...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Zhang, Zi-Hui, Zhang, Yonghui, Bi, Wengang, Geng, Chong, Xu, Shu, Demir, Hilmi Volkan, Sun, Xiao Wei
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2016
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/84934
http://hdl.handle.net/10220/40836
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!