Gated electric field control on multi-layered structures with perpendicular magnetic anisotropy

The ability to control the properties of ferro-metallic materials after device fabrication is a highly desirable feature for fundamental studies and technological advancements. In semiconductor-based devices, electric field control using a gate voltage to vary the conductivity is well established in...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Tan, Funan
مؤلفون آخرون: Lew Wen Siang
التنسيق: Thesis-Doctor of Philosophy
اللغة:English
منشور في: Nanyang Technological University 2019
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/87731
http://hdl.handle.net/10220/50464
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!