Characterization of selective quantum well intermixing in 1.3 mu m GaInNAs/GaAs structures

Rapid thermal annealing combined with SiO2 caps deposited on the surface of samples by different techniques is used to selectively disorder 1.3 mum GaInNAs/GaAs multiquantum wells which have been preannealed in situ to the stage of blueshift saturation. After thermal annealing under specific conditi...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Sun, Handong, Macaluso, Roberto, Dawson, M. D., Robert, F., Bryce, A. C., Marsh, J. H., Riechert, H.
مؤلفون آخرون: School of Physical and Mathematical Sciences
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2009
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/91819
http://hdl.handle.net/10220/6063
http://sfxna09.hosted.exlibrisgroup.com:3410/ntu/sfxlcl3?sid=metalib:EBSCO_APH&id=doi:&genre=&isbn=&issn=00218979&date=2003&volume=94&issue=3&spage=1550&epage=&aulast=Sun&aufirst=%20H%20%20D&auinit=&title=Journal%20of%20Applied%20Physics&atitle=Characterization%20of%20selective%20quantum%20well%20intermixing%20in%201%2E3%20%26mu%3Bm%20GaInNAs%2FGaAs%20structures%2E&sici.
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!