Directional and controllable edge-emitting ZnO ultraviolet random laser diodes
Room-temperature ultraviolet random lasing action is demonstrated from a p-GaN/annealed i-ZnO:Al(3%)/n-ZnO:Al(5%) buried heterojunction diode with a 2 μm rib waveguide. Excellent electrical-to-optical conversion efficiency is achieved by strong electrical and optical confinement of a buried heteroju...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2011
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/93851 http://hdl.handle.net/10220/6943 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!