Directional and controllable edge-emitting ZnO ultraviolet random laser diodes

Room-temperature ultraviolet random lasing action is demonstrated from a p-GaN/annealed i-ZnO:Al(3%)/n-ZnO:Al(5%) buried heterojunction diode with a 2 μm rib waveguide. Excellent electrical-to-optical conversion efficiency is achieved by strong electrical and optical confinement of a buried heteroju...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Yu, S. F., Yang, H. Y., Liang, H. K.
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2011
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/93851
http://hdl.handle.net/10220/6943
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English