Enhanced charge storage capability of Ge/GeO2 core/shell nanostructure
A Ge/GeO2 core/shell nanostructure embedded in an Al2O3 gate dielectrics matrix was produced. A larger memory window with good data retention was observed in the fabricated metal–insulator–semiconductor (MIS) capacitor for Ge/GeO2 core/shell nanoparticles compared to Ge nanoparticles only, which is...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2013
|
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/97279 http://hdl.handle.net/10220/10538 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |