Dielectric relaxation in SrBi2(V0.1Nb0.9)2O9 layered perovskite ceramics
10.1016/S0254-0584(02)00029-9
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ezhilvalavan, S., Xue, J.M., Wang, J. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | MATERIALS SCIENCE |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/107262 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Ferroelectric properties and leakage current mechanisms in SrBi 2(V0.1Nb0.9)2O9 (SBVN) thin films
بواسطة: Ezhilvalavan, S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Design and Fabrication of Ferroelectric Thin Film based Microwave Miniature Tunable Devices
بواسطة: ZHOU LINLIN
منشور في: (2010) -
Evidence of lower valence state of vanadium on the dielectric relaxation of ferroelectric SrBi2 (V0.1Nb0.9)2O9
بواسطة: Ezhilvalavan, S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Dielectric dispersion and impedance spectroscopy of B3+-doped Ba(Ti0.9Sn0.1)O3 ceramics
بواسطة: Tawichai, N., وآخرون
منشور في: (2014) -
Fast and Simple Construction of Efficient Solar-Water-Splitting Electrodes with Micrometer-Sized Light-Absorbing Precursor Particles
بواسطة: Feng, Jianyong, وآخرون
منشور في: (2017)