Surfactant and impurity properties of antimony on GaAs and GaAs 1-xNx on GaAs [100] by solid source molecular beam epitaxy

• المؤلفون الرئيسيون: Cheah, W.K., Fan, W.J., Yoon, S.F., Tan, K.H., Liu, R., Wee, A.T.S.
• مؤلفون آخرون: INSTITUTE OF ENGINEERING SCIENCE
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: GaAsN; MBE; PL; SIMS; Surfactant; XRD
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/116612
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1016/j.tsf.2005.04.040