Investigation of N incorporation in InGaAs and GaAs epilayers on GaAs using solid source molecular beam epitaxy

10.1016/j.jcrysgro.2004.12.020

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Cheah, W.K., Fan, W.J., Yoon, S.F., Ng, T.K., Loke, W.K., Zhang, D.H., Mei, T., Liu, R., Wee, A.T.S.
مؤلفون آخرون:	INSTITUTE OF ENGINEERING SCIENCE
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	A1. High resolution X-ray diffraction A1. Photoluminescence A1. Secondary ion mass spectroscopy A3. Molecular beam epitaxy B1. GaAsN B1. InGaAsN
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/115159
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة