Spin Orbit Coupling Gap and Indirect Gap in Strain-Tuned Topological Insulator-Antimonene
10.1186/s11671-016-1666-4
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Cheung, C.-H, Fuh, H.-R, Hsu, M.-C, Lin, Y.-C, Chang, C.-R |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2020
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/179891 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Strain engineering of antimonene by a first-principles study : mechanical and electronic properties
بواسطة: Kripalani, Devesh Raju, وآخرون
منشور في: (2020) -
Strain driven topological phase transitions in atomically thin films of group IV and v elements in the honeycomb structures
بواسطة: Huang, Z.-Q, وآخرون
منشور في: (2020) -
Uniaxial strain on graphene: Raman spectroscopy study and band-gap opening
بواسطة: Ni, Z.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
FIRST-PRINCIPLES INVESTIGATION ON SPIN-ORBIT COUPLING INDUCED TOPOLOGICAL PHASE TRANSITION
بواسطة: LUO YONGZHENG
منشور في: (2018) -
Origin of indirect optical transitions in few-layer MoS2, WS2, and WSe2
بواسطة: Zhao, W., وآخرون
منشور في: (2014)