Band gap, band offsets and dielectric constant improvement by addition of yttrium into lanthanum aluminate

10.1016/j.tsf.2013.02.068

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Liu, Z.Q., Chim, W.K., Chiam, S.Y., Pan, J.S., Ng, C.M.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82002
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore