In situ-grown compressed NiCo2S4 barrier layer for efficient and durable polysulfide entrapment

In situ-grown compressed NiCo2S4 barrier layer for efficient and durable polysulfide entrapment

10.1038/s41427-019-0159-1

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Huang, S., Wang, Y., Hu, J., Von Lim, Y., Kong, D., Guo, L., Kou, Z., Chen, Y., Yang, H.Y.
مؤلفون آخرون: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: Nature Publishing Group 2022
الوصول للمادة أونلاين:https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/212767
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore

مواد مشابهة

مواد مشابهة