A 19.2 > 45 dB gain and high-selectivity 94 GHz LNA in 0.13 μm SiGe BiCMOS

• المؤلفون الرئيسيون: Bi, X., Guo, Y., Xiong, Y.Z., Arasu, M.A., Je, M.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Cascode; low noise amplifier (LNA); q-enhanced; shape-factor (SF); SiGe BiCMOS
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/53881

10.1109/LMWC.2013.2251620