Effect of indium segregation on optical and structural properties of GaInNAsGaAs quantum wells at emission wavelength of 1.3 μm

10.1063/1.2362907

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Liu, H.F., Dixit, V., Xiang, N.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/55747
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore