Evolution of quasi-breakdown in thin gate oxides

10.1063/1.1464648

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Loh, W.Y., Cho, B.J., Li, M.F.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/55923
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore