High magnetoresistance at room temperature in p-i-n graphene nanoribbons due to band-to-band tunneling effects

10.1063/1.3624459

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Liang, G., Bala Kumar, S., Jalil, M.B.A., Tan, S.G.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/56188
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore