Stoichiometric and structural alterations in GaN thin films during annealling

Stoichiometric and structural alterations in GaN thin films during annealling

10.1007/s00339-003-2102-z

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Rana, M.A., Osipowicz, T., Choi, H.W., Breese, M.B.H., Watt, F., Chua, S.J.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/57521
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

A study of the decomposition of GaN during annealing over a wide range of temperatures
بواسطة: Rana, M.A., وآخرون
منشور في: (2014)

A study of the material loss and other processes involved during annealing of GaN at growth temperatures
بواسطة: Rana, M.A., وآخرون
منشور في: (2014)

Surface analysis of GaN decomposition
بواسطة: Choi, H.W., وآخرون
منشور في: (2014)

Channeling contrast microscopy of GaN and InGaN thin films
بواسطة: Osipowicz, T., وآخرون
منشور في: (2014)

Rutherford backscattering analysis of GaN decomposition
بواسطة: Choi, H.W., وآخرون
منشور في: (2014)

Dislocation scattering in n-GaN
بواسطة: Choi, H.W., وآخرون
منشور في: (2014)

Pulsed laser annealing of Be-implanted GaN
بواسطة: Wang, H.T., وآخرون
منشور في: (2014)

2 MeV proton channeling contrast microscopy of LEO GaN thin film structures
بواسطة: Osipowicz, T., وآخرون
منشور في: (2014)

Honeycomb GaN micro-light-emitting diodes
بواسطة: Choi, H.W., وآخرون
منشور في: (2014)

Activation of beryllium-implanted GaN by two-step annealing
بواسطة: Sun, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Electronic and vibronic properties of n-type GaN: The influence of etching and annealing
بواسطة: Tripathy, S., وآخرون
منشور في: (2014)

The Link between Gallium Vacancies and Plasma Damage to n-Type GaN
بواسطة: Choi, H.W., وآخرون
منشور في: (2014)

Effect of post-deposition annealing on the interface electronic structures of Al2O3-Capped GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructure
بواسطة: Duan, Tian Li, وآخرون
منشور في: (2019)

Plasma-induced damage to n-type GaN
بواسطة: Choi, H.W., وآخرون
منشور في: (2014)

Morphological and structural analyses of plasma-induced damage to n-type GaN
بواسطة: Choi, H.W., وآخرون
منشور في: (2014)

Optical and electrical characterization of annealed silicon-implanted GaN
بواسطة: Wang, H.T., وآخرون
منشور في: (2014)

Optical and Electrical Characterization of Annealed Silicon-implanted GaN
بواسطة: Wang, H.T., وآخرون
منشور في: (2014)

Exposure of defects in GaN by plasma etching
بواسطة: Choi, H.W., وآخرون
منشور في: (2014)

Vacancy effects on plasma-induced damage to n-type GaN
بواسطة: Chua, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Surface Modification and Ohmic Contact Formation to n and p-Type GaN
بواسطة: Choi, H.W., وآخرون
منشور في: (2014)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
بواسطة: Kyaw, Zabu, وآخرون
منشور في: (2014)

Activation of beryllium-implanted GaN by two-step annealing
بواسطة: Sun, Yuejun, وآخرون
منشور في: (2014)

Threading dislocations annihilation in regrown GaN film on nanoporous GaN template
بواسطة: Soh, C.B., وآخرون
منشور في: (2014)

Channeling contrast microscopy on lateral epitaxial overgrown GaN
بواسطة: Teo, E.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Electronic and vibronic properties of Mg-doped GaN: The influence of etching and annealing
بواسطة: Tripathy, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
بواسطة: Sun, Xiaowei, وآخرون
منشور في: (2013)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata
بواسطة: Zhang, Zi-Hui, وآخرون
منشور في: (2013)

Strong influence of SiO2 thin film on properties of GaN epilayers
بواسطة: Wang, X.C., وآخرون
منشور في: (2014)

High quality GaN grown from a nanoporous GaN template
بواسطة: Hartono, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Growth and Characterization of High Quality Continuous GaN Films on Si-Doped Cracked GaN Templates
بواسطة: Chua, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Deep level centers in InGaN/GaN heterostructure grown on sapphire and free-standing GaN
بواسطة: Soh, C.B., وآخرون
منشور في: (2014)

Fabrication and characterization of nano-porous GaN template for strain relaxed GaN growth
بواسطة: Hartono, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Formation of Ti/Al ohmic contacts on Si-doped GaN epilayers by low temperature annealing
بواسطة: Tan, L.S., وآخرون
منشور في: (2014)

Characterization of high quality continuous GaN films grown on Si-doped cracked GaN template
بواسطة: Soh, C.B., وآخرون
منشور في: (2014)

Fabrication and properties of nanoporous GaN films
بواسطة: Wang, Y.D., وآخرون
منشور في: (2014)

Nanoair-bridged lateral overgrowth of GaN on ordered nanoporous GaN template
بواسطة: Wang, Y.D., وآخرون
منشور في: (2014)

Ion beam-mixing effects in nearly lattice-matched AlInN/GaN heterostructures by swift heavy ion irradiation
بواسطة: Devaraju, G., وآخرون
منشور في: (2014)

Dislocation annihilation in regrown GaN on nanoporous GaN template with optimization of buffer layer growth
بواسطة: Soh, C.B., وآخرون
منشور في: (2016)

Reduction of threading dislocation density in GaN grown on strain relaxed nanoporous GaN template
بواسطة: Hartono, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on nano-air-bridged GaN template
بواسطة: Zang, K.Y., وآخرون
منشور في: (2014)