Dislocation annihilation in regrown GaN on nanoporous GaN template with optimization of buffer layer growth

10.1063/1.2437056

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Soh, C.B., Hartono, H., Chow, S.Y., Chua, S.J., Fitzgerald, E.A.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2016
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/129639
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore