Hot-carrier reliability of non-degenerately doped tungsten polycide gate buried-channel p-MOSFETs

• المؤلفون الرئيسيون: Lou, C.L., Chim, W.K., Chan, D.S.H., Pan, Y.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/62291

Solid-State Electronics