Incorporation of self assembled In-rich InGaN nanostructure to achieve redshift in InGaN/GaN heterostructures

10.1002/pssc.200674797

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Soh, C.B., Hartono, H., Chen, P., Chua, S.J.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: Conference or Workshop Item
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/70579
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore