Sub-100 nanometer channel length Ge/Si nanowire transistors with potential for 2 THz switching speed

• المؤلفون الرئيسيون: Hu, Y., Xiang, J., Liang, G., Yan, H., Lieber, C.M.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83107

10.1021/nl073407b