Development of chemical beam epitaxy for the deposition of gallium nitride

• المؤلفون الرئيسيون: Kingsley, C.R., Whitaker, T.J., Wee, A.T.S., Jackman, R.B., Foord, J.S.
• مؤلفون آخرون: PHYSICS
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Gallium nitride; Nitrides; Schottky barrier; Thin films
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/96208

Materials Science and Engineering B