Electron tunneling through ultrathin boron nitride crystalline barriers

• المؤلفون الرئيسيون: Britnell, L., Gorbachev, R.V., Jalil, R., Belle, B.D., Schedin, F., Katsnelson, M.I., Eaves, L., Morozov, S.V., Mayorov, A.S., Peres, N.M.R., Castro Neto, A.H., Leist, J., Geim, A.K., Ponomarenko, L.A., Novoselov, K.S.
• مؤلفون آخرون: PHYSICS
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: boron nitride; conductive AFM; Electron tunneling; grapheme; ultrathin
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/96414

10.1021/nl3002205