Graphene oxide gate dielectric for graphene-based monolithic field effect transistors

• المؤلفون الرئيسيون: Eda, G., Nathan, A., Wöbkenberg, P., Colleaux, F., Ghaffarzadeh, K., Anthopoulos, T.D., Chhowalla, M.
• مؤلفون آخرون: PHYSICS
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/96737
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1063/1.4799970