Origin of d0 magnetism in II-VI and III-V semiconductors by substitutional doping at anion site

• المؤلفون الرئيسيون: Yang, K., Wu, R., Shen, L., Feng, Y.P., Dai, Y., Huang, B.
• مؤلفون آخرون: PHYSICS
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/97475

10.1103/PhysRevB.81.125211