Raman scattering study of a GaAsN epitaxial layer

• المؤلفون الرئيسيون: Yu, G.Y., Shen, Z.X., Liu, L., Sun, W.X.
• مؤلفون آخرون: PHYSICS
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الموضوعات: GaAsN; Phonon correlation length; Raman scattering
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/98864
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1016/S1369-8001(02)00022-7