Thermoelectric properties of phosphorus-doped indium tellurosilicate: InSiTe<inf>3</inf>
© 2017 Elsevier B.V. Polycrystalline samples of undoped and doped indium tellurosilicate: InSiTe3were synthesized and their thermoelectric (TE) properties were investigated in the temperature range from 323 to 723 K. Phosphorus (P) was selected as an electron dopant, i.e., the starting compositions...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| التنسيق: | دورية |
| منشور في: |
2018
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85033573264&origin=inward http://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/58682 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Chiang Mai University |