Thermal change of amorphous indium tin oxide films sputter-deposited in water vapor atmosphere

Amorphous ITO thin films were deposited on silicon wafers at room temperature by RF + DC magnetron sputtering at water vapor partial pressures between 0 and 6 × 10- 5 Torr. The O/(In + Sn) ratio was determined by Rutherford backscattering spectroscopy. The effect of water vapor on the thermal crysta...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: M. H. Wang, Y. Onai, Y. Hoshi, H. Lei, T. Kondo, T. Uchida, S. Singkarat, T. Kamwanna, S. Dangtip, S. Aukkaravittayapun, T. Nishide, S. Tokiwa, Y. Sawada
التنسيق: دورية
منشور في: 2018
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=44349178249&origin=inward
http://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/60510
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!