Thermal change of amorphous indium tin oxide films sputter-deposited in water vapor atmosphere
Amorphous ITO thin films were deposited on silicon wafers at room temperature by RF + DC magnetron sputtering at water vapor partial pressures between 0 and 6 × 10- 5 Torr. The O/(In + Sn) ratio was determined by Rutherford backscattering spectroscopy. The effect of water vapor on the thermal crysta...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , , , , , , |
---|---|
التنسيق: | دورية |
منشور في: |
2018
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=44349178249&origin=inward http://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/60510 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|